Samsung Electronics ha anunciado el comienzo de la producción en masa de los primeros chips DDR4 de 8 gigabit (Gb) fabricados con su proceso a 10 nanómetros. Éstos chips serán los utilizados en los módulos de memoria RAM DDR4 de próxima generación del fabricante coreano y que llegarán al mercado a no mucho tardar. Continue reading
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IBM anuncia una nueva tecnología híbrida de almacenamiento
IBM es uno de los principales innovadores del sector de la informática. Recientemente la compañía ha presentado una nueva tecnología que podría reemplazar a la NAND, la cual se usa en las modernas unidades SSD. Junto a un grupo de investigadores de la Universidad de Patras, IBM ha dado a conocer el proyecto Theseus: se trata del primer intento de combinar las tecnologías NAND y DRAM en un único controlador. Si el proyecto resulta exitoso, entonces tendremos un medio de almacenamiento muchas veces más rápido que las unidades SSD actuales. Continue reading